短沟效应
通过模拟和实验,研究了不同材料、各工艺参数的改变对熔体吹破、短射和薄壁穿透三大缺陷的影响规律。3.模拟分析了不同气道布置和不同气道大小对薄壁穿透的影响。
来源:互联网摘选通过求解泊松方程,从沟道长度调制效应、阈值电压变化及源极同沟道间的势垒变化三个方面详细分析了短沟道MOSFET的器件特性。
来源:互联网摘选由于闸极到汲极之间的藕合效应问题, 所以悬浮闸元件被观察到有严重的短通道效应.
来源:互联网摘选
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